ETRI(한국전자통신연구원)의 반도체 소자인 GaN(질화갈륨) 관련 기술이 학계는 물론 해외 기업들로부터 잇따라 러브콜을 받는 등 주목받고 있다.
ETRI가 개발한 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술은 칩 크기는 줄이면서도 효율은 높일 수 있어 국방 및 통신용으로 유용하게 사용할 수 있다.
이 기술은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 질화갈륨(GaN)을 사용해 전력 밀도를 최대 10배, 증폭소자 교체주기는 16배, 전력 효율은 최대 30% 이상 우수한 게 특징이다.
또 GaN 전력반도체는 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등의 일반가전제품, 태양광 기술에 있어 교류나 직류를 전력변환하는 곳에 주로 많이 활용된다.
이 기술은 기존 실리콘 등에 비해 전력량이 많아질 경우 여러 개의 변환모듈이 필요해 최대 30%까지의 효율을 높일 수 있다는 게 연구진의 설명이다.
나운규 기자 sendme@cctoday.co.kr